Особенности электрофизических процессов в фотоэлектри- ческом преобразователе солнечной энергии с пленкой пористого кремния :: Единая Редакция научных журналов БФУ им. И. Канта

×

Ваш логин
Зарегистрироваться
Пароль
Забыли свой пароль?
Войти как пользователь:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
   
Наука есть не что иное, как отображение действительности
Фрэнсис Бэкон

DOI-генератор Поиск по DOI на Crossref.org

Особенности электрофизических процессов в фотоэлектри- ческом преобразователе солнечной энергии с пленкой пористого кремния


Автор Трегулов В. В.
Страницы 64-73
Статья Загрузить
Ключевые слова антиотражающее покрытие, вольт-фарадные характеристики, импеданс, пористый кремний, фотоэлектрический преобразователь, p-n-переход
Ключевые слова (англ.) antireflection coating, capacitance-voltage characteristics, impedance, porous silicon, a photovoltaic converter, p-n-junction
Аннотация Представлены результаты исследования годографов импеданса и вольт-фарадной характеристики полупроводниковой структуры кремниевого фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе n+-p-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на поверхности n+-области. Построена эквивалентная схема замещения исследуемой полупроводниковой структуры в виде последовательной цепи с элементами постоянной фазы. Предложено объяснение экспериментальной вольт-фарадной характеристики.
Аннотация (англ.) The article introduces the results of the research of the impedance hodographs and the capacitance-voltage characteristics of silicon photovoltaic solar energy converters based on the n+-p- junction with the antireflection coating of porous silicon on n+- region surface. The equivalent circuit of the semiconductor structure under investigation in the form of a series circuit with the constant phase elements is developed. The form of experimental capacitancevoltage characteristics is proposed.
Список литературы 1. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984.
2. Клюй Н. И., Литовченко В. Г., Лукьянов А. Н. и др. Влияние условий осаждения на просветляющие свойства алмазоподобных углеродных пленок для солнечных элементов на основе кремния // Журнал технической физики. 2006. Т. 76, № 5. С. 122—126.
3. Panes P., Lipinski M., Czternastek H. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells // Optoelectronics review. 2000. № 8(1). P. 57—59.
4. Трегулов В. В. Особенности высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремниевого p-n- перехода с антиотражающим слоем пористого кремния // Журнал технической физики. 2014. Т. 84, № 9. С. 153—154.
5. Поклонский Н. А., Горбачук Н. И., Шпаковский С. В. Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов // Там же. 2010. Т. 80, №10. С. 74—82.
6. Пека Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев, 1984.
7. Barsoukov E., Macdonald J. R. Impedance Spectroscopy Theory, Experiment and Applications. New Jersey, 2005.
8. Стройнов З. Б., Графов Б. М., Саввова-Стройнова Б. Электрохимический импеданс. М., 1991.
9. Венгер Е. Ф., Каганович Э. Б., Кириллова С. И. и др. Исследование структур пористый кремний/кремний методом температурных зависимостей фотоэдс // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, № 11. С. 1330—1333.
10. Евтух А. А., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г. и др. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний // Там же. 2006. Т. 40, № 2. С. 180—184.

Назад в раздел