Особенности электрофизических процессов в фотоэлектри- ческом преобразователе солнечной энергии с пленкой пористого кремния
АннотацияПредставлены результаты исследования годографов импеданса и вольт-фарадной характеристики полупроводниковой структуры кремниевого фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе n+-p-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на поверхности n+-области. Построена эквивалентная схема замещения исследуемой полупроводниковой структуры в виде последовательной цепи с элементами постоянной фазы. Предложено объяснение экспериментальной вольт-фарадной характеристики.
The article introduces the results of the research of the impedance hodographs and the capacitance-voltage characteristics of silicon photovoltaic solar energy converters based on the n+-p- junction with the antireflection coating of porous silicon on n+- region surface. The equivalent circuit of the semiconductor structure under investigation in the form of a series circuit with the constant phase elements is developed. The form of experimental capacitancevoltage characteristics is proposed.