Исследование особенностей поверхности пленки CdS, изготовленной гидрохимическим осаждением на текстурированной кремниевой подложке
- Страницы / Pages
- 91-96
Аннотация
Методами атомно-силовой микроскопии и электронной Оже-спектрометрии исследована поверхность пленки CdS, сформированной гидрохимическим осаждением на текстурированной кремниевой подложке. Показано, что изготовленная таким образом пленка CdS характеризуется неоднородным распределением размеров структурных элементов и химического состава по поверхности. Такие пленки пригодны для применения в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p).
Список литературы
1. Шарма Б. Л. Полупроводниковые гетеропереходы. М., 1979.
2. Mahdi M. A., Kasem S. J., Hassen J. J. et al. Structural and optical properties of chemical deposition CdS thin films // Int. J. Nanoelectronics and Materials. 2009.N 2. P. 163—172.
3. Трегулов В. В. Исследование гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения CdS // Вестник Рязанского государственного университета. 2011. № 3 (32). С. 169—179.
4. Трегулов В. В. Оптимизация технологии изготовления гетероструктур CdS/Si(p) // Научно-технический вестник Поволжья. 2012. № 2. С. 31—34.
5. Модуль обработки изображений Image Analysis P9. Справочное руковод-ство. М, 2011.
6. Троян В. И., Пушкин М. А., Борман В. Д. Физические основы методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела. М., 2008.
7. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М., 1986.
8. Майорова Т. Л., Клюев В. Г., Фам Тхи Хай М. Влияние примеси на фотопамять пиролитических пленок сульфида кадмия // Конденсированные среды и межфазные границы. 2008. Т. 10, № 4. С. 256—260.
9. Фаренбух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент. М., 1987.