Исследование особенностей поверхности пленки CdS, изготовленной гидрохимическим осаждением на текстурированной кремниевой подложке :: Единая Редакция научных журналов БФУ им. И. Канта

×

Ваш логин
Зарегистрироваться
Пароль
Забыли свой пароль?
Войти как пользователь:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
   
Трудных наук нет, есть только трудные изложения
Александр Герцен

DOI-генератор Поиск по DOI на Crossref.org

Исследование особенностей поверхности пленки CdS, изготовленной гидрохимическим осаждением на текстурированной кремниевой подложке


Автор Трегулов В. В., Скопцова Г. Н., Балаганский С. С., Толкач Н. М.
Страницы 91-96
Статья Загрузить
Ключевые слова [html]атомно-силовая микроскопия, гетероструктура, гидрохиическое осаждение, электронная Оже-спектрометрия, поверхность, фотоэлектрический преобразователь
Ключевые слова (англ.) Investigated by atomic force microscopy and Auger electron spectrometry the surface of films CdS, formed by hydrochemical deposition on textured silicon substrate. It is shown that the film CdS thus manufactured characterized inhomogeneous distribution of size structural elements and chemical composition over the surface. These films are appropriate for use in photovoltaic solar power converters on based heterostructures CdS/Si(p).
Аннотация Методами атомно-силовой микроскопии и электронной Оже-спектрометрии исследована поверхность пленки CdS, сформированной гидрохимическим осаждением на текстурированной кремниевой подложке. Показано, что изготовленная таким образом пленка CdS характеризуется неоднородным распределением размеров структурных элементов и химического состава по поверхности. Такие пленки пригодны для применения в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p).
Список литературы 1. Шарма Б. Л. Полупроводниковые гетеропереходы. М., 1979.
2. Mahdi M. A., Kasem S. J., Hassen J. J. et al. Structural and optical properties of chemical deposition CdS thin films // Int. J. Nanoelectronics and Materials. 2009.N 2. P. 163—172.
3. Трегулов В. В. Исследование гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения CdS // Вестник Рязанского государственного университета. 2011. № 3 (32). С. 169—179.
4. Трегулов В. В. Оптимизация технологии изготовления гетероструктур CdS/Si(p) // Научно-технический вестник Поволжья. 2012. № 2. С. 31—34.
5. Модуль обработки изображений Image Analysis P9. Справочное руковод-ство. М, 2011.
6. Троян В. И., Пушкин М. А., Борман В. Д. Физические основы методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела. М., 2008.
7. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М., 1986.
8. Майорова Т. Л., Клюев В. Г., Фам Тхи Хай М. Влияние примеси на фотопамять пиролитических пленок сульфида кадмия // Конденсированные среды и межфазные границы. 2008. Т. 10, № 4. С. 256—260.
9. Фаренбух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент. М., 1987.

Назад в раздел