Исследование изменения параметров тонкопленочных структур в процессе ионной имплантации
- Страницы / Pages
- 7-13
Аннотация
Исследовано изменение параметров тонкопленочных структур в процессе ионной имплантации. С помощью метода рентгеновской рефлектометрии были определены толщины тонкопленочных структур до и после имплантации. Методом рентгеновской дифрактометрии была установлена кристаллическая структура пленок, оценен средний размер зерна, а также, на основе метода решения уравнения Вульфа-Брэгга была выявлена экспериментальная постоянная решетки. Продемонстрирована возможность использования методики контролируемой ионной имплантации для изменения размеров зерен формируемых структур.
Список литературы
1. Тетельбаум Д. И. 50 лет исследований в НИФТИ ННГУ в области физических проблем ионной имплантации // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. 2010. № 5 (2). С. 250—259.
2. Вавилов В. С. Некоторые физические аспекты ионной имплантации //УФН. 1985. Т. 145, вып. 2. С. 48—69.
3. Герасименко Н. Н. Наноразмерные структурыв имплантированных полупроводниках // Российский химический журнал. Т. XLVI. 2002. С. 75—88.
4. Ворогушин М. Ф., Глухих В. А., Манукян Г. Ш. Пучковые и ионно-плазменные технологии // Вопросы атомной науки и техники. 2002. № 3 (81). С. 101—109.
5. Yasaka Miho. X-ray thin film measurement techniques // The Rigaku Journal.2012. Vol. 28. № 1. P. 22—34.
6. Боуэн Д. К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. СПб., 2002.
7. Чернов А. А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. Современная кристаллография. М., 1980. Т. 3 : Образование кристаллов.
8. Goikhman A., Sheludyakov S., Bogdanov E. Ion beam assisted deposition of novel thin film materials and coatings // Materials Science Forum. 2011. Vol. 674. P. 195.
9. Bruker: innovation with integrity. URL: www.bruker.com (дата обращения:12.04.2014).