Исследование изменения параметров тонкопленочных структур в процессе ионной имплантации :: Единая Редакция научных журналов БФУ им. И. Канта

×

Ваш логин
Зарегистрироваться
Пароль
Забыли свой пароль?
Войти как пользователь:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
   
Моя вера – это вера в то, что счастье человечеству даст прогресс науки
Иван Петрович Павлов

DOI-генератор Поиск по DOI на Crossref.org

Исследование изменения параметров тонкопленочных структур в процессе ионной имплантации


Автор Медведева С. С., Коива Д. А., Шемухин А. А., Черных П. Н.
Страницы 7-13
Статья Загрузить
Ключевые слова [html]рентгеновская рефлектометрия, рентгеновская дифрактометрия, ионная имплантация, размер зерна, толщина пленки
Ключевые слова (англ.) In this paper were investigated the change of parameters of structures of thin film during ion implantation. Thickness of thin films before and after ion implantation were investigated by X-ray reflectivity. Also, crystal structure, average crystallite size and lattice constant were investigated by X-ray diffraction. The possibility of using ion implantation technique as method of changing grains size in structures was demonstrated.
Аннотация Исследовано изменение параметров тонкопленочных структур в процессе ионной имплантации. С помощью метода рентгеновской рефлектометрии были определены толщины тонкопленочных структур до и после имплантации. Методом рентгеновской дифрактометрии была установлена кристаллическая структура пленок, оценен средний размер зерна, а также, на основе метода решения уравнения Вульфа-Брэгга была выявлена экспериментальная постоянная решетки. Продемонстрирована возможность использования методики контролируемой ионной имплантации для изменения размеров зерен формируемых структур.
Список литературы 1. Тетельбаум Д. И. 50 лет исследований в НИФТИ ННГУ в области физических проблем ионной имплантации // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. 2010. № 5 (2). С. 250—259.
2. Вавилов В. С. Некоторые физические аспекты ионной имплантации //УФН. 1985. Т. 145, вып. 2. С. 48—69.
3. Герасименко Н. Н. Наноразмерные структурыв имплантированных полупроводниках // Российский химический журнал. Т. XLVI. 2002. С. 75—88.
4. Ворогушин М. Ф., Глухих В. А., Манукян Г. Ш. Пучковые и ионно-плазменные технологии // Вопросы атомной науки и техники. 2002. № 3 (81). С. 101—109.
5. Yasaka Miho. X-ray thin film measurement techniques // The Rigaku Journal.2012. Vol. 28. № 1. P. 22—34.
6. Боуэн Д. К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. СПб., 2002.
7. Чернов А. А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. Современная кристаллография. М., 1980. Т. 3 : Образование кристаллов.
8. Goikhman A., Sheludyakov S., Bogdanov E. Ion beam assisted deposition of novel thin film materials and coatings // Materials Science Forum. 2011. Vol. 674. P. 195.
9. Bruker: innovation with integrity. URL: www.bruker.com (дата обращения:12.04.2014).

Назад в раздел