2D моделирование ионной тени за заряженным спутником методом молекулярной динамики
- Страницы / Pages
- 26-30
Аннотация
Рассмотрена двумерная модель взаимодействия заряженного микроспутника и тепловой плазмы. В качестве метода решения использовался метод молекулярной динамики. Приведены распределения ионной концентрации вблизи КА для 10 и 102 протонов в см2 и двух значений относительных скоростей спутника и плазмы 8 и 20 км/с, соответственно. Показано, что с увеличением скорости и концентрации частиц ионная тень за спутником становится более выраженной.
Список литературы
1. Katz I., Mandell M. L. Differential charging of high-voltage spacecraft: The equilibrium potential of insulated surfaces // J. Geophys. Res. 1982. Vol. 87. P. 5433.
2. Katz I., Stannart P. R., Gedeon L. et al. NASCAP simulations of spacecraft charging of the SCATHA satellite // Spacecraft/plasma interactions and their influence on field and particle measurements. Proceeding of the 17th ESLAB symposium. Noordwijk. The Netherlands. 13—16 Sept., 1983. ESA SP-198. P. 109—114.
3. Mandell M. J., Katz I., Hilton M. et al. Nascap-2K spacecraft charging models: algorithms and applications // 2001: A spacecraft charging odyssey. Proceeding of the 7th Spacecraft Charging Technology Conference. 23—27 April 2001. ESTEC. Noordwijk. The Netherlands. ESA SP-476. P. 499—507.
4. Zinin L., Grigoriev S., Rylina I. The models of electric field distributions near a satellite // Proceedings of the conference in memory of Yuri Galperin, eds: L. M. Zelenyi, M. A. Geller, J. H. Allen, CAWSES Handbook-001. 2004. P. 76—83.
5. Рылина И. В., Зинин Л. В., Григорьев С. А. и др. Гидродинамический подход к моделированию распределения тепловой плазмы вокруг движущегося заряженного спутника // Космические исследования. 2002. Т. 40. С. 395—405.
6. Зинин Л. В., Ишанов С. А., Шарамет А. А., Мациевский С. В. Моделирование распределения ионов вблизи заряженного спутника методом молекулярной динамики. 2-D приближение // Вестник Балтийского федерального университета. им. И. Канта. 2012. Вып. 10. С. 53—60.