Применение радиофизических методов для диагностики функциональных свойств магнитных туннельных переходов :: Единая Редакция научных журналов БФУ им. И. Канта

×

Ваш логин
Зарегистрироваться
Пароль
Забыли свой пароль?
Войти как пользователь:
Войти как пользователь
Вы можете войти на сайт, если вы зарегистрированы на одном из этих сервисов:
   
Трудных наук нет, есть только трудные изложения
Александр Герцен

DOI-генератор Поиск по DOI на Crossref.org

Применение радиофизических методов для диагностики функциональных свойств магнитных туннельных переходов


Автор Зюбин А. Ю., Асташенок А. В., Куприянова Г. С.
Страницы 43-51
Статья Загрузить
Ключевые слова [html]ферромагнитный резонанс, спинтроника, ширина спектральной линии, постоянная Гильберта
Ключевые слова (англ.) The article presents the main investigation results of the structural and magnetic parameters of a series of samples formed on single-crystal (MgO) and on amorphous substrates Si/SiO2 structures. Were assessed quality indicators such as the paramagnetic phase, the presence of impurities, and an analysis of the functional properties through continued Gilbert was done. The radiophysical methods features for the diagnosis of prospective structures were shown.
Аннотация Представлены магнитные параметры серии образцов, сформированных на монокристаллических (MgO) и аморфных подложках Si/SiO2. Оценены такие показатели качества, как наличие парамагнитной фазы, примесей, а также проведен анализ функциональных свойств исследуемых структур на основе постоянной Гильберта. Показаны особенности применения радиофизических методов исследования вещества для диагностики перспективных структур.
Список литературы 1. Zutic I., Fabian J., Das Sarma S. Spintronics Fundamentals and applications //Rev. Mod. Phys. 2004. Vol. P. 76. 323.
2. Parkin S., Jiang X., Kaiser C. et al. Magnetically engineered spintronic sensors and memory / / Proceedings of the IEEE. 2003. Vol. 91. P. 661—680.
3. Slaughter J., Chen E., Whig R. et al. Magnetic Tunnel Junction Materials for Electronic Applications // JOM-e. 2000. Vol. 52 (6). P. 1.

4. Durlam M., Naji P., DeHerrera M. et al. Nonvolatile RAM based on magnetic tunnel junction elements // Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Papers.2000. Feb. P. 130—131.
5. Parkin S., Jiang X., Kaiser C. et al. Magnetically engineered spintronic sensors and memory / / Proceedings of the IEEE. 2003. Vol. 91. P. 661—680.
6. Гойхман А. Ю., Куприянова Г. С., Прохоренко Е. Е., Черненков А. О. Магнитно-резонансные свойства тонкопленочных структур с Fe3O4 // Вестник Российского государственного университета им. И. Канта. 2010. Вып. 4.
7. Durlam M., Naji P., DeHerrera M. et al. Nonvolatile RAM based on magnetic tunnel junction elements // Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Papers.2000. Feb. P. 130–131.
8. Youssef J., Layadi A. Ferromagnetic resonance study of Permalloy/Cu/Co/NiO spin valve system // J. Appl. Phys. 2010. 108. 053913.
9. Zakeri Kh., Lindner J., Barsukov I. et al. Erratum: Spin dynamics in ferromagnets:Gilbert damping and two-magnon scattering // Phys. Rev. 2007. B 76. 104416.
10. Lenz K., Wende H., Kuch W. et al. Two-magnon scattering and viscous Gilbert damping in ultrathin ferromagnets // Phys. Rev. 2006. B 73. 144424.
11. Швачко Ю. Н., Стариченко Д. В., Шматов Г. А., Гобов Ю. В. Ширина линии ферромагнитного резонанса в анизотропном магнетике при разориентации резонансного и сканирующего магнитных полей // Физика твердого тела.2002. Т. 44, вып. 11. С. 2029—2034.
12. Веселов А. А., Веселов А. Г., Высоцкий С. Л. Магнитные свойства термически напыленных тонких пленок Fe/GaAs (100) // Журнал технической физики.2002. Т. 72, вып. 8. С. 139—142.


Назад в раздел